Найдено 339 товаров
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/475 MBps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/475 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x2 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/670 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x2 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/670 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1600/600 MBps, случайный доступ: 290000/150000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1600/600 MBps, случайный доступ: 290000/150000 IOps
M.2, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 561/500 MBps
M.2, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 561/500 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND
2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 550/450 MBps, случайный доступ: 80000/80000 IOps
2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 550/450 MBps, случайный доступ: 80000/80000 IOps
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/450 MBps
2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/450 MBps
U.2, PCI Express 3.1 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/3200 MBps, случайный доступ: 654000/210500 IOps
U.2, PCI Express 3.1 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/3200 MBps, случайный доступ: 654000/210500 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 МБайт/с, случайный доступ: 95000/90000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 МБайт/с, случайный доступ: 95000/90000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Western Digital, последовательный доступ: 3400/2900 МБайт/с, случайный доступ: 480000/540000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Western Digital, последовательный доступ: 3400/2900 МБайт/с, случайный доступ: 480000/540000 IOps
M.2, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 558/497 MBps
M.2, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 558/497 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1610 MBps, случайный доступ: 128000/126000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1610 MBps, случайный доступ: 128000/126000 IOps
500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Western Digital, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4000 MBps, случайный доступ: 460000/800000 IOps
500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Western Digital, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4000 MBps, случайный доступ: 460000/800000 IOps
8 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
8 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/495 MBps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/495 MBps
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/500 MBps, случайный доступ: 85000/85000 IOps
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/500 MBps, случайный доступ: 85000/85000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/3900 MBps, случайный доступ: 450000/900000 IOps, совместимость с PS5
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/3900 MBps, случайный доступ: 450000/900000 IOps, совместимость с PS5
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/450 MBps, случайный доступ: 20000/52000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/450 MBps, случайный доступ: 20000/52000 IOps